Перейти…

Астрофизический семинар ИНАСАН № 238 (8 ноября 2012 г., 11:00)

Опубликовано: 08/11/2012

Докладчик: И.М. Подгорный (ИНАСАН), А.И. Подгорный (ФИАН)

Название доклада: “Связь динамики активной области Солнца с появлением мощных солнечных вспышек”

Краткое содержание доклада:
Рассмотрено поведение распределения магнитного поля и магнитных потоков ряда активных областей, давших серии вспышек класса X. Показано, что типичное время формирования активной области, вызывающей вспышку составляет 4 – 5 дней. Большие вспышки (класса X) возникают после достижения магнитным потоком значения, превышающего ~1022 Mx. Однако величина потока является необходимым, но не достаточным условием. Высокой вероятностью произвести вспышку обладают только активные области со сложным распределением магнитного поля, когда линия инверсии магнитного поля имеет сложную форму и/или имеется несколько линий инверсии. Простые активные области с одним ведущим и одним ведомым пятнами вспышек не создают. В короне с простым арочным полем, где нет особых линий, не может образоваться токовый слой, в поле которого накапливается энергия вспышки. Принципиально новым и неожиданным результатом является отсутствие сколько-нибудь значительных изменений магнитного поля активной области во время вспышки, отдельные измерения показывают локальные флуктуации ~1%. Магнитный поток активной области во время вспышки остается неизменным. Этот результат показывает несостоятельность теории, предполагающей инжекцию в корону магнитной энергии во время вспышки, и является прямым доказательством накопления магнитной энергии в короне в предвспышечном состоянии. Как следует из модели вспышки, основанной на образовании токового слоя в корне, эта магнитная энергия реализуется во время вспышки. При анализе магнитных полей использовались данные SOHO MDI и SDO HMI, измеряющие компоненту поля вдоль луча зрения. Нормальная компонента фотосферного поля находилась решением уравнения Лапласа с использованием граничных условий на фотосфере в виде наклонной производной магнитного потенциала.

Перейти к содержимому